г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN5213T1G onsemi

Артикул
MUN5213T1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Цена
34 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MUN5213T1G.jpg
Other Names
MUN5213T1GOSTR,MUN5213T1G-ND,ONSONSMUN5213T1G,MUN5213T1GOSCT,MUN5213T1GOSDKR,2156-MUN5213T1G-OS
Supplier Device Package
SC-70-3 (SOT323)
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Power - Max
202 mW
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
MUN5213
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DTC114TE
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MURF1560G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP, Diode Standard 600 V 15A Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: 2N6727
Бренд: onsemi
Описание: PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 2 A 500MHz 1 W Through Hole TO-237
Подробнее
Артикул: FFA60UP30DNTU
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3PN, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300 V 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
Подробнее
Артикул: FQPF6N80C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F, N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 1N5339B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL, Zener Diode 5.6 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее