г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN5213T1G onsemi

Артикул
MUN5213T1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Цена
34 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MUN5213T1G.jpg
Other Names
MUN5213T1GOSTR,MUN5213T1G-ND,ONSONSMUN5213T1G,MUN5213T1GOSCT,MUN5213T1GOSDKR,2156-MUN5213T1G-OS
Supplier Device Package
SC-70-3 (SOT323)
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Power - Max
202 mW
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
MUN5213
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: PN4391
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 30V 625MW TO92, JFET N-Channel 30 V 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N3904TAR
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 200MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FDA16N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN, N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: KSA733GTA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 180MHz 250 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IRF820
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB, N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FGH40T100SMD-F155
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1000 V 80 A 333 W Through Hole TO-247-3
Подробнее