г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MURS160T3G onsemi

Артикул
MURS160T3G
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount SMB
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/MURS160T3G.jpg
Supplier Device Package
SMB
REACH Status
REACH Unaffected
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 1 A
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
1A
Other Names
MURS160T3GOSCT,MURS160T3GOSTR,MURS160T3GOS,MURS160T3GOSDKR,2156-MURS160T3G-OS,ONSONSMURS160T3G,MURS160T3GOS-ND
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
DO-214AA, SMB
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Standard Package
2,500
Base Product Number
MURS160
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Capacitance @ Vr, F
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RHRP1560
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC, Diode Standard 600 V 15A Through Hole TO-220-2L
Подробнее
Артикул: 2SK3557-7-TB-E
Бренд: onsemi
Описание: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP, RF Mosfet N-Channel JFET 5 V 1 mA 1kHz - - 3-CP
Подробнее
Артикул: FDS3680
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC, N-Channel 100 V 5.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FGH15T120SMD-F155
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 30A 333W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 333 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FQP3N60C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3, N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MUN5213T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее