г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTB15N60S1EG onsemi

Артикул
NGTB15N60S1EG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 30A 117W TO220-3, IGBT NPT 600 V 30 A 117 W Through Hole TO-220AB
Цена
375 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/NGTB15N60S1EG.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
117 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
270 ns
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 15A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Switching Energy
550µJ (on), 350µJ (off)
Gate Charge
88 nC
Td (on/off) @ 25°C
65ns/170ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Other Names
NGTB15N60S1EG-ND,NGTB15N60S1EGOS
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Base Product Number
NGTB15
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Test Condition
400V, 15A, 22Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HGTP3N60A4D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 17A 70W TO220AB, IGBT - 600 V 17 A 70 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FSV8100V
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277-3, Diode Schottky 100 V 8A Surface Mount TO-277-3
Подробнее
Артикул: TIP106
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FDA28N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN, N-Channel 500 V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: FNC42060F
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 20A 26PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Подробнее
Артикул: BZX55C2V7
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35, Zener Diode 2.7 V 500 mW ±7% Through Hole DO-35
Подробнее