г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTB25N120FL2WG onsemi

Артикул
NGTB25N120FL2WG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247, IGBT Field Stop 1200 V 50 A 385 W Through Hole TO-247-3
Цена
872 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/NGTB25N120FL2WG.jpg
Supplier Device Package
TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
385 W
Input Type
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
154 ns
IGBT Type
Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Switching Energy
1.95mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
87ns/179ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Other Names
NGTB25N120FL2WGOS,2156-NGTB25N120FL2WG-OS,ONSONSNGTB25N120FL2WG,NGTB25N120FL2WG-ND
Base Product Number
NGTB25
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Gate Charge
178 nC

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FGH75T65UPD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 650V 150A 375W TO-247AB, IGBT Trench Field Stop 650 V 150 A 375 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FCH47N60NF
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 45.8A TO247-3, N-Channel 600 V 45.8A (Tc) 368W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FCD7N60TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK, N-Channel 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: MJE15035G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 350V 4A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 4 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N4150
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35, Diode Standard 50 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N6042
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A - 75 W Through Hole TO-220
Подробнее