г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTB25N120FL2WG onsemi

Артикул
NGTB25N120FL2WG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247, IGBT Field Stop 1200 V 50 A 385 W Through Hole TO-247-3
Цена
872 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/NGTB25N120FL2WG.jpg
Supplier Device Package
TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
385 W
Input Type
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
154 ns
IGBT Type
Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Switching Energy
1.95mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
87ns/179ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Other Names
NGTB25N120FL2WGOS,2156-NGTB25N120FL2WG-OS,ONSONSNGTB25N120FL2WG,NGTB25N120FL2WG-ND
Base Product Number
NGTB25
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Gate Charge
178 nC

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJE200
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PWR NPN 5A 25V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: FDC642P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: FNA41560
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Подробнее
Артикул: FDMQ8203
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP, Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Подробнее
Артикул: NTK3139PT5G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723, P-Channel 20 V 660mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-723
Подробнее
Артикул: PN4121
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 40V 100MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 100 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее