г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NSBC114TDXV6T1 onsemi

Артикул
NSBC114TDXV6T1
Бренд
onsemi
Описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
Image
files/NSBC114TDXV6T1.jpg
Base Product Number
NSBC11
Standard Package
4,000
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Part Status
Obsolete
Package
Cut Tape (CT)
Series
*
Other Names
ONSONSNSBC114TDXV6T1,2156-NSBC114TDXV6T1-ONTR,NSBC114TDXV6TOSCT,NSBC114TDXV6TOSTR

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FGA15N120ANTDTU-F109
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 30A 186W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 30 A 186 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: NGTB50N120FL2WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 100A 535W TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 535 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: MMBD1505A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: KSC3503ESTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 150MHz 7 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: NTLUS3A90PZTAG
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN, P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Подробнее
Артикул: BC517-D74Z
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее