г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTD60N02R onsemi

Артикул
NTD60N02R
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK, N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NTD60N02R.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1330 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
FET Type
N-Channel
Supplier Device Package
DPAK
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
75
Base Product Number
NTD60
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NGTB40N120FL2WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 535 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: FGH40T120SMD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: CPH5517-TL-E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Common Base) 50V 1A 420MHz 900mW Surface Mount 5-CPH
Подробнее
Артикул: BAS16LT1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23, Diode Standard 75 V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MJE13003G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 1.5A TO-225, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A 10MHz 1.4 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: MCR100-3G
Бренд: onsemi
Описание: SCR 100V 800MA TO92-3, SCR 100 V 800 mA Sensitive Gate Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее