г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTGD4167CT1G onsemi

Артикул
NTGD4167CT1G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Цена
98 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/NTGD4167CT1G.jpg
Other Names
NTGD4167CT1GOSDKR,2156-NTGD4167CT1G-OS,NTGD4167CT1GOSTR,Q13728537,NTGD4167CT1G-ND,NTGD4167CT1GOSCT,ONSONSNTGD4167CT1G
Supplier Device Package
6-TSOP
Power - Max
900mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
FET Type
N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Base Product Number
NTGD4167
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0095
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: KSC5027OTU
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 80, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2SD1838
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MJE200
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PWR NPN 5A 25V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: NVD5117PLT4G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK, P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MJD50TF
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 1A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 10MHz 1.56 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCW68G-ON
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 45V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее