г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTJD1155LT1G onsemi

Артикул
NTJD1155LT1G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363, Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/NTJD1155LT1G.jpg
Other Names
NTJD1155LT1GOSTR,ONSNTJD1155LT1G,2156-NTJD1155LT1G-OS,NTJD1155LT1GOSCT,NTJD1155LT1GOSDKR
Supplier Device Package
SC-88/SC70-6/SOT-363
Power - Max
400mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.3A
FET Type
N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Base Product Number
NTJD1155
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0095
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MPS8599
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 500 mA 150MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: ECH8668-TL-H
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8, Mosfet Array N and P-Channel 20V 7.5A, 5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Подробнее
Артикул: MMUN2230LT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: onsemi
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BZX79C8V2
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: SSH22N50A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 22A TO3P, N-Channel 500 V 22A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее