г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTLJF3117PT1G onsemi

Артикул
NTLJF3117PT1G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN, P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NTLJF3117PT1G.jpg
Supplier Device Package
6-WDFN (2x2)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Power Dissipation (Max)
710mW (Ta)
FET Type
P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
531 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Other Names
NTLJF3117PT1GOSTR,NTLJF3117PT1GOSDKR,NTLJF3117PT1G-ND,ONSONSNTLJF3117PT1G,NTLJF3117PT1GOSCT,=NTLJF3117PT1GOSCT-ND,2156-NTLJF3117PT1G-OS
Base Product Number
NTLJF3117
Series
µCool™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-WDFN Exposed Pad
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDT55AN06LA0
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4, N-Channel 60 V 12.1A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Подробнее
Артикул: MMBTA14
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MJL4281AG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 350V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 15 A 35MHz 230 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: MBR3100G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD, Diode Schottky 100 V 3A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: FDN342P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3, P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BZX55C39
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 39V 500MW DO35, Zener Diode 39 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее