г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTLJF3117PT1G onsemi

Артикул
NTLJF3117PT1G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN, P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NTLJF3117PT1G.jpg
Supplier Device Package
6-WDFN (2x2)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Power Dissipation (Max)
710mW (Ta)
FET Type
P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
531 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Other Names
NTLJF3117PT1GOSTR,NTLJF3117PT1GOSDKR,NTLJF3117PT1G-ND,ONSONSNTLJF3117PT1G,NTLJF3117PT1GOSCT,=NTLJF3117PT1GOSCT-ND,2156-NTLJF3117PT1G-OS
Base Product Number
NTLJF3117
Series
µCool™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-WDFN Exposed Pad
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS40LT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: NDBA180N10BT4H
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: SMMBT4401LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 600MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MJL21194
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 16A TO264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: PN100_G
Бренд: onsemi
Описание: INTEGRATED CIRCUIT, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FDR4420A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8, N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Подробнее