г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTS2101PT1G onsemi

Артикул
NTS2101PT1G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3, P-Channel 8 V 1.4A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NTS2101PT1G.jpg
Supplier Device Package
SC-70-3 (SOT323)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Power Dissipation (Max)
290mW (Ta)
FET Type
P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Other Names
2156-NTS2101PT1G-OS,NTS2101PT1GOSCT,ONSONSNTS2101PT1G,NTS2101PT1GOSTR,NTS2101PT1GOSDKR
Base Product Number
NTS2101
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RURU10060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 100A TO218, Diode Standard 600 V 100A Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: NGTB15N60S1EG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 30A 117W TO220-3, IGBT NPT 600 V 30 A 117 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MJ2955G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 15A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 2.5MHz 115 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: PN100_G
Бренд: onsemi
Описание: INTEGRATED CIRCUIT, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BZX79C3V6
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35, Zener Diode 3.6 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: BC847BDW1T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363,
Подробнее