г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NVBGS4D1N15MC onsemi

Артикул
NVBGS4D1N15MC
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK, N-Channel 150 V 20A (Ta), 185A (Tc) 3.7W (Ta), 316W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Цена
2 034 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NVBGS4D1N15MC.jpg
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta), 185A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 574µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7285 pF @ 75 V
FET Feature
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
NVBGS4
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
488-NVBGS4D1N15MCCT,488-NVBGS4D1N15MCTR,488-NVBGS4D1N15MCDKR
Standard Package
800
REACH Status
REACH Unaffected
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 316W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBT3640-ON
Бренд: onsemi
Описание: 0.2A, 12V, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 200 mA 500MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BC549BTA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 30V 100MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MMBD1403
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 200 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MJL3281A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 260V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 260 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: 1N5239B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FMG2G100US60
Бренд: onsemi
Описание: IGBT MODULE 600V 100A 400W 7PMGA, IGBT Module - Half Bridge 600 V 100 A 400 W Chassis Mount 7PM-GA
Подробнее