г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NVBGS4D1N15MC onsemi

Артикул
NVBGS4D1N15MC
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK, N-Channel 150 V 20A (Ta), 185A (Tc) 3.7W (Ta), 316W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Цена
2 034 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NVBGS4D1N15MC.jpg
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta), 185A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 574µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7285 pF @ 75 V
FET Feature
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
NVBGS4
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
488-NVBGS4D1N15MCCT,488-NVBGS4D1N15MCTR,488-NVBGS4D1N15MCDKR
Standard Package
800
REACH Status
REACH Unaffected
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 316W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDS6685
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC, P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 1N914TR
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FQP22N30
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3, N-Channel 300 V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJD127T4G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: PZT2222AT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS SS SW NPN 600MA 40V SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 1.5 W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Подробнее
Артикул: BAS21SLT1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 250 V 225mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее