г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RG2006JN onsemi

Артикул
RG2006JN
Бренд
onsemi
Описание
RECTIFIER DIODE, Diode
Цена
43 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/RG2006JN.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-RG2006JN,ONSONSRG2006JN
HTSUS
8541.10.0080
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RFP30P06
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 30A TO220-3, P-Channel 60 V 30A (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDD86250
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK, N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: NDS351N
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Подробнее
Артикул: FGA25S125P
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN, IGBT Trench Field Stop 1250 V 50 A 250 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: FGH30S130P
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB, IGBT Trench Field Stop 1300 V 60 A 500 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FDFS2P102
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC, P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее

Ваша заявка принята