г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

VEC2616-TL-W onsemi

Артикул
VEC2616-TL-W
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8, Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
Цена
155 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/VEC2616-TL-W.jpg
Supplier Device Package
SOT-28FL/VEC8
Power - Max
1W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
505pF @ 20V
FET Feature
Logic Level Gate, 4V Drive
Other Names
VEC2616-TL-WOSDKR,VEC2616-TL-WOSTR,VEC2616-TL-WOSCT,VEC2616-TL-W-ND
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
VEC2616
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HGTG30N60A4D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 75A 463W TO247, IGBT - 600 V 75 A 463 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MJE18002G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 450V 2A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 2 A 13MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N5682
Бренд: onsemi
Описание: NPN 120V 1A 10W /2N5680 COMPLMT, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 1 A - 1 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 1N4004RLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41, Diode Standard 400 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: BUV48A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 450V 15A TO247-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 15 A - 125 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FDS6912
Бренд: onsemi
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6,
Подробнее