г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SJ557-T1B-A Renesas

Артикул
2SJ557-T1B-A
Бренд
Renesas
Описание
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET,
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/2SJ557-T1B-A.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
RENRNS2SJ557-T1B-A,2156-2SJ557-T1B-A
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HSM88ASTR-E
Бренд: Renesas
Описание: SCHOTTKY BARRIER DIODE, Diode Array
Подробнее
Артикул: 2SC2001-T-A
Бренд: Renesas
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: CA3083
Бренд: Renesas
Описание: TRANS 5NPN 15V 0.1A 16DIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 5 NPN 15V 100mA 450MHz 500mW Through Hole 16-PDIP
Подробнее
Артикул: 2SA952-T-A
Бренд: Renesas
Описание: 2SA952 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: RJH60F7DPQ-A0#T0
Бренд: Renesas
Описание: IGBT 600V 90A 328.9W TO247A, IGBT Trench 600 V 90 A 328.9 W Through Hole TO-247A
Подробнее
Артикул: NE3515S02-T1C-A
Бренд: Renesas
Описание: SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB - 4-Micro-X
Подробнее