г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NE4210S01-T1B Renesas

Артикул
NE4210S01-T1B
Бренд
Renesas
Описание
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13dB - SMD
Цена
217 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Series
-
Transistor Type
HFET
Current - Test
10 mA
Power - Output
-
Supplier Device Package
SMD
Package / Case
4-SMD
Noise Figure
0.5dB
Gain
13dB
Frequency
12GHz
Voltage - Rated
4 V
Other Names
RENRNSNE4210S01-T1B,2156-NE4210S01-T1B-RETR
Standard Package
4,000
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Current Rating (Amps)
15mA
Part Status
Obsolete
Package
Bulk
Voltage - Test
2 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2SK2225-E
Бренд: Renesas
Описание: MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM, N-Channel 1500 V 2A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-3PFM
Подробнее
Артикул: TIP31C
Бренд: Renesas
Описание: IC TRANS TIP NPN 100V 3A TO-220,
Подробнее
Артикул: RJH60F7DPQ-A0#T0
Бренд: Renesas
Описание: IGBT 600V 90A 328.9W TO247A, IGBT Trench 600 V 90 A 328.9 W Through Hole TO-247A
Подробнее
Артикул: NE3515S02-T1C-A
Бренд: Renesas
Описание: SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB - 4-Micro-X
Подробнее
Артикул: 2SC3357-T1-A
Бренд: Renesas
Описание: RF 0.1A, ULTRA HIGH FREQ BAND, RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89
Подробнее
Артикул: 2SK2225-80-E#T2
Бренд: Renesas
Описание: ABU / MOSFET, N-Channel 1500 V 2A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-3PFM
Подробнее