NE85633-T1B-A Renesas
Артикул
NE85633-T1B-A
Бренд
Renesas
Описание
SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL, RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount 3-MINIMOLD
Цена
293 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/NE85633-T1B-A.jpg
Gain
11.5dB
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
3-MINIMOLD
Power - Max
200mW
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition
7GHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Standard Package
3,000
Other Names
3923-NE85633-T1B-ATR
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Last Time Buy
Mounting Type
Surface Mount
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут