г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor

Артикул
R6076ENZ4C13
Бренд
Rohm Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 600V 76A TO247, N-Channel 600 V 76A (Tc) 735W (Tc) Through Hole TO-247
Цена
3 424 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/R6076ENZ4C13.jpg
Mounting Type
Through Hole
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
735W (Tc)
Standard Package
600
Other Names
846-R6076ENZ4C13
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247
Base Product Number
R6076
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RB550VA-30TR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2, Diode Schottky 30 V 1A Surface Mount TUMD2
Подробнее
Артикул: BSM600D12P3G001
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: 1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IMD2AT108
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Подробнее
Артикул: RB081L-20TE25
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDS, Diode Schottky 20 V 5A Surface Mount PMDS
Подробнее
Артикул: PTZTE2511B
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 11.5V 1W PMDS, Zener Diode 11.5 V 1 W ±6% Surface Mount PMDS
Подробнее
Артикул: SCT3060ALGC11
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: SICFET N-CH 650V 39A TO247N, N-Channel 650 V 39A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Подробнее