г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4856 Solid State

Артикул
2N4856
Бренд
Solid State
Описание
N-CHANNEL MOSFET TO-18, JFET - 40 V 300 mW Through Hole TO-18
Цена
517 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - JFETs, Транзисторы - JFET
Image
files/2N4856.jpg
Operating Temperature
-
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-18
REACH Status
Vendor Undefined
Power - Max
300 mW
FET Type
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
18pF @ 10V
Standard Package
10
Other Names
2383-2N4856
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
40 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N6028
Бренд: Solid State
Описание: PUT TO92, SCR Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N3585
Бренд: Solid State
Описание: TO 66 1.0 & 2.0 AMP POWER TRANSI, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 2 A - 35 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: 1N3997
Бренд: Solid State
Описание: 10 WATT ZENER DO-4, Zener Diode 5.6 V 10 W ±10% Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: 2N5320
Бренд: Solid State
Описание: NPN SIL TRANS TO39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 75 V 2 A - 10 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 2N2897
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1 A 100MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: 1N5814
Бренд: Solid State
Описание: DO4 20 AMP RECTIFIER, Diode Standard 100 V 20A Stud Mount DO-4
Подробнее