г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4870 Solid State

Артикул
2N4870
Бренд
Solid State
Описание
TO 92 UNIJUNCTION TRANSISTOR, Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Programmable Unijunction, Транзисторы - программируемые однопереходные
Image
files/2N4870.jpg
Current - Peak
5 µA
Voltage
35V
Power Dissipation (Max)
300 mW
Voltage - Output
6V
REACH Status
Vendor Undefined
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
10
Other Names
2383-2N4870
HTSUS
8541.10.0080
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
-
Current - Valley (Iv)
5 mA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N2896
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 1 A 120MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: 1N4000
Бренд: Solid State
Описание: 10 WATT ZENER DO-4, Zener Diode 7.5 V 10 W ±10% Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: 1N5300
Бренд: Solid State
Описание: SILICON CURRENT LIMITING DIODE, Diode Standard 100 V 4.43A Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N5297
Бренд: Solid State
Описание: SILICON CURRENT LIMITING DIODE, Diode Standard 100 V 1.1A Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N1128
Бренд: Solid State
Описание: DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER, Diode Standard 600 V 12A Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: 1N5304
Бренд: Solid State
Описание: SILICON CURRENT LIMITING DIODE, Diode Standard 100 V 1.98A Through Hole DO-35
Подробнее