г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6059 STMicroelectronics

Артикул
2N6059
Бренд
STMicroelectronics
Описание
TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 12 A 4MHz 150 W Chassis Mount TO-3
Цена
8 988 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6059.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
497-2561-5-NDR,497-2561-5
Base Product Number
2N60
Power - Max
150 W
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 6A, 3V
Standard Package
20
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
200°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package
TO-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: STD2NK70ZT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK, N-Channel 700 V 1.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: STTH212
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD, Diode Standard 1200 V 2A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 1N5711
Бренд: STMicroelectronics
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35, RF Diode Schottky - Single 70V 15 mA 430 mW DO-35
Подробнее
Артикул: STTH810DI
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220Ins, Diode Standard 1000 V 8A Through Hole TO-220Ins
Подробнее
Артикул: 2SB772
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP 30V 3A SOT32, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 3 A 100MHz 12.5 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее
Артикул: ST1802HI
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 600V 10A ISOWATT218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 10 A - 50 W Through Hole ISOWATT-218
Подробнее