г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2STC2510 STMicroelectronics

Артикул
2STC2510
Бренд
STMicroelectronics
Описание
TRANS NPN 100V 25A TO-3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 20MHz 125 W Through Hole TO-3P
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2STC2510.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
497-6956-5,1026-2STC2510
Base Product Number
2STC
Power - Max
125 W
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.2A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 12A, 4V
Standard Package
30
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
20MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: STD1802T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 60V 3A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 150MHz 15 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: STS4DNFS30L
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 4A 8SO, N-Channel 30 V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: STP150N10F7
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 100V 110A TO220, N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: STW11NB80
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: STGW80H65DFB
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 650V 120A 469W TO-247, IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: STPSC2H12B-TR1
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A Surface Mount DPAK
Подробнее