PD20010-E STMicroelectronics
Артикул
PD20010-E
Бренд
STMicroelectronics
Описание
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF, RF Mosfet LDMOS 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/PD20010-E.jpg
Other Names
PD20010-E-ND,497-13044-5,PD20010E
Base Product Number
PD20010
Gain
11dB
Noise Figure
-
Voltage - Rated
40 V
Transistor Type
LDMOS
Current Rating (Amps)
5A
Power - Output
10W
Voltage - Test
13.6 V
REACH Status
REACH Unaffected
Frequency
2GHz
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Package / Case
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Supplier Device Package
PowerSO-10RF (Formed Lead)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Current - Test
150 mA
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут