г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STAC9200 STMicroelectronics

Артикул
STAC9200
Бренд
STMicroelectronics
Описание
200W 32V HF TO 1.3GHZ LDMOS TRAN, RF Mosfet LDMOS 1.3GHz 18dB 230W STAC244B
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Series
-
Current Rating (Amps)
1µA
Transistor Type
LDMOS
Voltage - Rated
80 V
Noise Figure
-
Gain
18dB
Base Product Number
STAC9200
REACH Status
REACH Unaffected
Frequency
1.3GHz
Standard Package
80
HTSUS
8541.29.0075
ECCN
EAR99
Supplier Device Package
STAC244B
Package / Case
STAC244B
Part Status
Obsolete
Package
Box
Power - Output
230W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: STPS10L25D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO220AC, Diode Schottky 25 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: STPS2L40U
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB, Diode Schottky 40 V 2A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: STGF20M65DF2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP, IGBT Trench Field Stop 650 V 40 A 32.6 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: STP200NF03
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB, N-Channel 30 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BC141-10
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 60V 1A TO-39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 50MHz 650 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: BUL810
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 450V 15A TO-247, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 15 A - 125 W Through Hole TO-247-3
Подробнее