г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STB31N65M5 STMicroelectronics

Артикул
STB31N65M5
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK, N-Channel 650 V 22A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Цена
459 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/STB31N65M5.jpg
Base Product Number
STB31
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
148mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1865 pF @ 100 V
FET Feature
-
Other Names
-497-13084-6,497-13084-6,497-13084-2,497-13084-1,-497-13084-1,-497-13084-2
REACH Status
REACH Unaffected
Series
MDmesh™ V
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D?PAK (TO-263)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: STGYA120M65DF2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S, IGBT NPT, Trench Field Stop 650 V 160 A 625 W Through Hole MAX247™
Подробнее
Артикул: STPS41L60CT
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BUL128D-B
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 400V 4A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A - 70 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: STGW25M120DF3
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 1200V 50A 375W, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 375 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MJ4032
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP DARL 100V 16A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 16 A - 150 W Chassis Mount TO-3
Подробнее
Артикул: BD679A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее