г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STD9NM60N STMicroelectronics

Артикул
STD9NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK, N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Цена
406 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/STD9NM60N.jpg
Base Product Number
STD9NM60
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
452 pF @ 50 V
FET Feature
-
Other Names
-1138-STD9NM60NCT,497-10959-6,497-10959-1-ND,497-STD9NM60NDKR,497-10959-2,-1138-STD9NM60NDKR,-1138-STD9NM60NTR,497-10959-2-ND,497-10959-6-ND,497-10959-1,497-STD9NM60NCT,497-STD9NM60NTR
REACH Status
REACH Unaffected
Series
MDmesh™ II
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
DPAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Power Dissipation (Max)
70W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: STGB3NC120HDT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 1200V 14A 75W D2PAK, IGBT - 1200 V 14 A 75 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: A2C35S12M3
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter with Brake 1200 V 35 A 250 W Chassis Mount ACEPACK™ 2
Подробнее
Артикул: STGW45HF60WD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 70A 250W TO247, IGBT - 600 V 70 A 250 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 2STA2510
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP 100V 25A TO-3P, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 25 A 20MHz 125 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: STTA1212D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 12A TO220AC, Diode Standard 1200 V 12A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: STGD5NB120SZT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 1200V 10A 75W DPAK, IGBT - 1200 V 10 A 75 W Surface Mount DPAK
Подробнее