г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STF26N60DM6 STMicroelectronics

Артикул
STF26N60DM6
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP, N-Channel 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Цена
672 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/STF26N60DM6.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
940 pF @ 100 V
FET Feature
-
Base Product Number
STF26
Other Names
-1138-STF26N60DM6,497-18496
REACH Status
REACH Unaffected
Series
MDmesh™ DM6
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220FP
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
350
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: STGIPS30C60
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT IPM MODULE 30A 600V SDIP-25, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
Подробнее
Артикул: STD11N65M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK, N-Channel 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: X0405MF 1AA2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SCR 600V 1.35A TO202-3, SCR 600 V 1.35 A Sensitive Gate Through Hole TO-202-3
Подробнее
Артикул: MJD117T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: STP21N90K5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3, N-Channel 900 V 18.5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TIP107
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее