г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STT6N3LLH6 STMicroelectronics

Артикул
STT6N3LLH6
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6, N-Channel 30 V 6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/STT6N3LLH6.jpg
Base Product Number
STT6N3
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
283 pF @ 24 V
FET Feature
-
Other Names
497-13591-2,497-13591-1,-497-13591-2,-497-13591-1,497-13591-6
REACH Status
REACH Unaffected
Series
DeepGATE™, STripFET™ VI
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-23-6
Supplier Device Package
SOT-23-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
3,000
Power Dissipation (Max)
1.6W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: STD60NF3LLT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK, N-Channel 30 V 60A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: TN815-800B
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SCR 800V 8A DPAK, SCR 800 V 8 A Standard Recovery Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: SCTW40N120G2V
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
Подробнее
Артикул: STTH12R06D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC, Diode Standard 600 V 12A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: FERD30SM100DJFTR
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE RECT 100V 30A POWERFLAT, Diode FERD (Field Effect Rectifier Diode) 100 V 30A Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Подробнее
Артикул: STPSC1206D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220AC, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A Through Hole TO-220AC
Подробнее