г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STW8NK80Z STMicroelectronics

Артикул
STW8NK80Z
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3, N-Channel 800 V 6.2A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
338 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/STW8NK80Z.jpg
Base Product Number
STW8NK80
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 25 V
FET Feature
-
Other Names
497-12807-5,STW8NK80Z-ND,-497-12807-5
REACH Status
REACH Unaffected
Series
SuperMESH™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: STGF10H60DF
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 20A 30W TO220FP, IGBT Trench Field Stop 600 V 20 A 30 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: TN2540-600G
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SCR 600V 25A D2PAK, SCR 600 V 25 A Standard Recovery Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 2N2219A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 800 mA 250MHz 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: PD57006-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10, RF Mosfet LDMOS 28 V 70 mA 945MHz 15dB 6W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Подробнее
Артикул: T410-600B-TR
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK, TRIAC Logic - Sensitive Gate 600 V 4 A Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: STPS30170CW
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO247, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 170 V 15A Through Hole TO-247-3
Подробнее