CSD85312Q3E Texas Instruments
Артикул
CSD85312Q3E
Бренд
Texas Instruments
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Цена
179 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/CSD85312Q3E.jpg
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
8-VSON (3.3x3.3)
Power - Max
2.5W
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Source
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2390pF @ 10V
FET Feature
Logic Level Gate, 5V Drive
Other Names
-CSD85312Q3E-NDR,TEXTISCSD85312Q3E,296-37187-6,2156-CSD85312Q3E,296-37187-1,296-37187-2,-296-37187-1,-296-37187-1-ND,CSD85312Q3E-ND
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
2,500
Series
NexFET™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
CSD85312
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут