UnitedSiC

Более двадцати лет тому назад (1999 г.) небольшая команда исследователей университета Ратгерса, самого крупного исследовательского учебного заведения штата Нью-Джерси в США, основала компанию UnitedSiC. В то время технология карбида кремния или SiC только зарождалась, а все устройства изготавливались ещё в исследовательской лаборатории, для чего использовали куски SiC, размер которых равнялся размерам самих эскиза.

После этого, приобретя группу опытных и успешных предпринимателей, повершивших в возможности материалов широкозонного типа – SiC, в 2010 году компания построила производственную чистую комнату, как пилотный вариант. С её помощью планировалось улучшить возможности процессов SiC до уровня литейного производства коммерческого типа. С этой целью были установлены связи с местным литейным цехом 6-ти дюймового типа, в котором и были установлены передовые процессы SiC.

В 2015 году на предприятии UnitedSiC были выпущены первые переключатели на 4 дюйма каскодного типа. Дальше был выпуск 6-ти дюймовых диодов типа MPS на 650 и 1200 В. Их особенностью являлось улучшенная способность к прыжкам напряжения, прямое падение напряжения оптимизированного типа, а также самый низкий в отрасли Qc (Qrr).

Прошедшие следующие три года позволили компании расширить своё присутствие глобального типа во многих странах Европы и Азии. Кроме того, в том же 2018 году было объявлено о запуске в производство нового типа транзисторов полевого типа, которые стали заменой кремниевого типа MOSFET. Это была серия UJ3C 650 B SiC. Также был анонсирован выпуск устройств типа SiC JFET 650/1200 В. 

После этого последовали матрицы типа SiC JFET для установки с контроллерами IC, новые транзисторы полевого типа, новая технология GEN 4, калькулятор типа FET-JET. А года 2021 стал для компании последним в плане самостоятельной деятельности, поскольку компания QORVO – ведущий поставщик инноваций в области РЧ-решений стал собственником компании UnitedSiC.