г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB18N50KPBF VISHAY

Артикул
IRFB18N50KPBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB, N-Channel 500 V 17A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
911 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB18N50KPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2830 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Base Product Number
IRFB18
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFB18N50KPBF
Standard Package
50
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Power Dissipation (Max)
220W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS19-E3-08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23, Diode Standard 100 V 200mA Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: VS-HFA16TB120S-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK, Diode Standard 1200 V 16A (DC) Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: IRFPF40
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3, N-Channel 900 V 4.7A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SIS413DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8, P-Channel 30 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее
Артикул: SIR622DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8, N-Channel 150 V 51.6A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: VS-E4PU6006L-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD, Diode Standard 600 V 60A Through Hole TO-247AD
Подробнее