IRFBE30PBF VISHAY
Артикул
IRFBE30PBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB, N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
405 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFBE30PBF.jpg
Mounting Type
Through Hole
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Standard Package
50
Other Names
*IRFBE30PBF
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Base Product Number
IRFBE30
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут