SI1029X-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SI1029X-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6, Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI1029X-T1-GE3.jpg
Other Names
SI1029X-T1-GE3TR,SI1029X-T1-GE3CT,SI1029X-T1-GE3DKR,SI1029XT1GE3
Standard Package
3,000
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
FET Feature
Logic Level Gate
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
SC-89 (SOT-563F)
Base Product Number
SI1029
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Power - Max
250mW
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут