SI1965DH-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SI1965DH-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI1965DH-T1-GE3.jpg
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
1.25W
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 6V
FET Feature
Logic Level Gate
Other Names
SI1965DH-T1-GE3TR,SI1965DH-T1-GE3DKR,SI1965DHT1GE3,SI1965DH-T1-GE3CT
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-70-6
Base Product Number
SI1965
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 8V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут