SI4463BDY-T1-E3 VISHAY
Артикул
SI4463BDY-T1-E3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO, P-Channel 20 V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Цена
293 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI4463BDY-T1-E3.jpg
Standard Package
2,500
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 13.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
FET Feature
-
Other Names
SI4463BDYT1E3,SI4463BDY-T1-E3DKR,SI4463BDY-T1-E3TR,SI4463BDY-T1-E3CT
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
SI4463
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут