г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI4501BDY-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI4501BDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI4501BDY-T1-GE3.jpg
Other Names
SI4501BDY-T1-GE3DKR,SI4501BDY-T1-GE3CT,SI4501BDY-T1-GE3TR
Standard Package
2,500
FET Type
N and P-Channel, Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
805pF @ 15V
FET Feature
Logic Level Gate
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
SI4501
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Power - Max
4.5W, 3.1W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VS-10BQ015-M3/5BT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 15V 1A DO214AA, Diode Schottky 15 V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: VS-10BQ100PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB, Diode Schottky 100 V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: VS-HFA30PB120HN3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC, Diode Standard 1200 V 30A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: 1N5246B-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 16V 500MW DO35, Zener Diode 16 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: RS1J-E3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: SI2314EDS-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3, N-Channel 20 V 3.77A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее