SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SI4532CDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC
Цена
124 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI4532CDY-T1-GE3.jpg
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
2.78W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
305pF @ 15V
FET Feature
Standard
Other Names
SI4532CDY-T1-GE3DKR,SI4532CDY-T1-GE3CT,SI4532CDY-T1-GE3-ND,SI4532CDYT1GE3,SI4532CDY-T1-GE3TR
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
SI4532
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут