SI4590DY-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SI4590DY-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL, Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SOIC
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI4590DY-T1-GE3.jpg
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
2.4W, 3.4W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 50V
Other Names
SI4590DY-T1-GE3TR,SI4590DY-T1-GE3DKR,SI4590DY-T1-GE3CT
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
SI4590
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
FET Feature
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут