SI4952DY-T1-E3 VISHAY
Артикул
SI4952DY-T1-E3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOIC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI4952DY-T1-E3.jpg
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
2.8W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 13V
FET Feature
Logic Level Gate
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
SI4952
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут