SI5908DC-T1-E3 VISHAY
Артикул
SI5908DC-T1-E3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Цена
250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI5908DC-T1-E3.jpg
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
1.1W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET Feature
Logic Level Gate
Other Names
SI5908DC-T1-E3DKR,SI5908DCT1E3,SI5908DC-T1-E3TR,SI5908DC-T1-E3CT
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package
1206-8 ChipFET™
Base Product Number
SI5908
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут