г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI6415DQ-T1-E3 VISHAY

Артикул
SI6415DQ-T1-E3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP, P-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Цена
336 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI6415DQ-T1-E3.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta)
Standard Package
3,000
Other Names
SI6415DQ-T1-E3DKR,SI6415DQ-T1-E3TR,SI6415DQ-T1-E3CT,SI6415DQT1E3
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-TSSOP
Base Product Number
SI6415
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N4392
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18, JFET N-Channel 40 V 1.8 W Through Hole TO-206AA (TO-18)
Подробнее
Артикул: VS-8EWF12S-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252, Diode Standard 1200 V 8A Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: SQJ431EP-T1_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8, P-Channel 200 V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: ES1DHE3_A/I
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: SIR878DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8, N-Channel 100 V 40A (Tc) 5W (Ta), 44.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: 10BQ060TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB, Diode Schottky 60 V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее