г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI7111EDN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI7111EDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8, P-Channel 30 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI7111EDN-T1-GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5860 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
52W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Other Names
SI7111EDN-T1-GE3DKR,SI7111EDN-T1-GE3TR,SI7111EDN-T1-GE3CT
Series
TrenchFET® Gen III
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7111
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 2.5 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VS-16TTS08-M3
Бренд: VISHAY
Описание: SCR 800V 16A TO220AB, SCR 800 V 16 A Standard Recovery Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: CPV363M4U
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 13 A 36 W Through Hole IMS-2
Подробнее
Артикул: SI4431CDY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO, P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: SISS10DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S, N-Channel 40 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Подробнее
Артикул: VS-40CTQ150-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: VS-80APF06-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC, Diode Standard 600 V 80A Through Hole TO-247AC
Подробнее