г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI7149DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI7149DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8, P-Channel 30 V 50A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
284 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI7149DP-T1-GE3.jpg
Mounting Type
Surface Mount
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
147 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4590 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Standard Package
3,000
Other Names
SI7149DP-T1-GE3TR,SI7149DP-T1-GE3DKR,SI7149DP-T1-GE3CT,SI7149DP-T1-GE3-ND
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SI7149
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VS-30BQ100TRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC, Diode Schottky 100 V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: BZX384C12-E3-08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323, Zener Diode 12 V 200 mW ±5% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: VS-40EPF12-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC, Diode Standard 1200 V 40A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: SI1029X-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6, Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Подробнее
Артикул: SI7129DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8, P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее
Артикул: VS-GBPC3512A
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2 kV QC Terminal GBPC-A
Подробнее