г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI7489DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI7489DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8, P-Channel 100 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
477 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI7489DP-T1-GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 83W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Other Names
SI7489DP-T1-GE3DKR,SI7489DP-T1-GE3TR,SI7489DPT1GE3,SI7489DP-T1-GE3CT
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SI7489
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI5504BDC-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Подробнее
Артикул: GBU6G-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3.8A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: 1N5226B-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35, Zener Diode 3.3 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: VS-10ETS12PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC, Diode Standard 1200 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IRFI720G
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3, N-Channel 400 V 2.6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRF9610S
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK, P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее