г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI7625DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI7625DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8, P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
203 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI7625DN-T1-GE3.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4427 pF @ 15 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SI7625DN-T1-GE3CT,SI7625DN-T1-GE3TR,SI7625DN-T1-GE3DKR,SI7625DNT1GE3
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7625
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VS-40HF40
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB, Diode Standard 400 V 40A Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5)
Подробнее
Артикул: SS16HE3_B/I
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC, Diode Schottky 60 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: VS-30EPH06HN3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC, Diode Standard 600 V 30A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: SI7430DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8, N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: SI7469DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8, P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: VS-GB90DA120U
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227, IGBT Module NPT Single 1200 V 149 A 862 W Chassis Mount SOT-227
Подробнее