г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI7716ADN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI7716ADN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8, N-Channel 30 V 16A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
222 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI7716ADN-T1-GE3.jpg
Mounting Type
Surface Mount
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
846 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Standard Package
3,000
Other Names
SI7716ADN-T1-GE3CT,SI7716ADN-T1-GE3TR,SI7716ADN-T1-GE3DKR,SI7716ADNT1GE3
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7716
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Power Dissipation (Max)
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI2333CDS-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3, P-Channel 12 V 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 30CPF04
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC, Diode Standard 400 V 30A Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SI2312BDS-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3, N-Channel 20 V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: VS-HFA25TB60-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 25A TO220AC, Diode Standard 600 V 25A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: VS-1N1206RA
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA, Diode Standard, Reverse Polarity 600 V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Подробнее
Артикул: 2N7002K-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3, N-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее