SI7846DP-T1-E3 VISHAY
Артикул
SI7846DP-T1-E3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8, N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
401 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI7846DP-T1-E3.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.9W (Ta)
Standard Package
3,000
Other Names
SI7846DP-T1-E3DKR,SI7846DPT1E3,2266-SI7846DP-T1-E3,SI7846DP-T1-E3TR,SI7846DP-T1-E3CT
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SI7846
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут