SI9926BDY-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SI9926BDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SOIC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI9926BDY-T1-GE3.jpg
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET Feature
Logic Level Gate
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
SI9926
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Power - Max
1.14W
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут